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    OTL1200-1400-1200三溫區PECVD系統

    OTL1200-1400-1200三溫區PECVD系統

    OTL1200-1400-1200

    產品介紹

    用戶評價

    OTL-PECVD-1200-1400-1200三溫區PECVD系統,由OTL1200真空管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統、抽氣系統、真空測量系統組成。

    主要特點:

    1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。

    2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低

    3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小

    4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。

    5、廣泛應用于:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

    這款三溫區PECVD系統是一款能夠快速加熱、冷卻的PECVD系統,是在三臺管式爐安裝一對電動滑軌,可用電動滑動系統。加熱和冷卻速率最大可達100°C/min。為取得最快加熱,可以預先加熱爐子到設定的溫度,然后移動爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻,可在樣品加熱后移動爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環境下可以達到10°C/s,是低成本快速加熱、冷卻的雙溫區PECVD系統。

    這款三溫區PECVD系統以瑞典Kanthal電阻絲和硅碳棒為加熱元件,采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表,移相觸發、可控硅控制,爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料,爐管兩端采用不銹鋼法蘭密封,不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表,抽真空時真空度能夠達到10-3 Pa,  分兩個溫區,兩個溫區可以獨立控制、設置不同的溫度,使用方便,操作簡單,該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點,是高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒結、生長石墨烯、生長各種薄膜的理想產品。

                                    

    (1)、硅碳棒的熱端粗度d為14mm、一般廠家采用的12MM、加熱端粗、不容易彎曲、棒子的表面負荷低,使用壽命長。

    (2)、m冷端長度為210mm, 一般廠家采用180mm, 冷端長爐頂溫度低。

    (3)、硅碳棒表面氧化非晶膜致密,能夠比較好的保護碳棒。


    當電路過流或漏電時,空開會自動斷開。


    該爐配有通訊接口和軟件,可以直接通過電腦控制爐子的各個參數,并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況,爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出,并能把每個時刻的溫度數據保存起來,隨時可以調出

       

    1、真空吸濾成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛。

    2、采用日本技術成型。

    3、爐膛里電阻絲的間距和節距全部按日本最優的熱工技術布置、經過熱工軟件模擬溫場

    4、采用4周加熱,溫場更加均衡

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